和内存相关的名词和术语有很多，为了便于大家理解对照特将一些常用的名词汇总介绍。
ROM：只读存储器
Cache：高速缓存
Clock：时钟信号
Register：缓存器
PLL： 为锁相回路
Self-Refresh：自我充电
Refresh：内存的充电
CL (CAS Latency)：预充电时间
Memory Module：内存模块
RAM（Random Access Memory）：随机存储器
DRAM（Dynamic RAM）：动态随机存储器
PM RAM（Page Mode RAM）：页模式随机存储器（即普通内存）
FPM RAM（Fast Page Mode RAM）：快速页模式随机存储器
EDO RAM（Extended Data Output RAM）扩充数据输出随机存储器
BEDO RAM（Burst Extended Data Output RAM）：突发扩充数据输出随机存储器
SDRAM（Sychronous Dynamic RAM）：同步动态随机存储器
SRAM（Static RAM）：静态随机存储器
Async SRAM（Asynchronous Static RAM）：异步静态随机存储器
Sync Burst SRAM（Synchronous Burst Stacic RAM）：同步突发静态随机存储器
PB SRAM（Pipelined Burst SRAM）：管道（流水线）突发静态随机存储器
L2 Cache（Level 2 Cache）：二级高速缓存（通常由SRAM组成）
VRAM（Video RAM）：视频随机存储器
CVRAM（Cached Vedio RAM）：缓存型视频随机存储器
SVRAM（Synchronous VRAM）：同步视频随机存储器
CDRAM（Cached DRAM）：缓存型动态随机存储器
EDRAM（Enhanced DRAM）：增强型动态随机存储器
SPD：为Serial Presence Detect 的缩写
Buffer V.S. Unbuffer：缓冲器和无缓冲器
JEDEC：电子工程设计发展联合会议
ROM (Read Only Memory)：只读存储器
PROM：程序规画的只读存储器
FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM)：是改良的DRAM
Bottom Leaded Plastic：底部引出塑封技术
Tiny Ball Grid Array：小型球栅阵列封装
Thin Small Outline Package：薄型小尺寸封装
Remark Memory Module：重新标示过的内存模块